根据摩尔定律的延续，从14nm，7nm再到5nm，芯片制造工艺技术已经取得了突破。
当5nm刚刚开始实现大规模突破时，台积电已经在2nm芯片制程技术的研究和开发中取得了重大突破，并开始向1nm制程迈进。
台湾媒体透露，台积电在2nm制程上取得了重大的内部突破。
根据台积电的介绍，在理想条件下，2nm制程芯片将在2023年下半年进行小规模试生产。
如果什么都没有发生，则将在2024年实现大规模量产。
2nm的突破将再次扩大与竞争对手的差距，同时继续遵循摩尔定律并继续推进1nm工艺的研发。
预计苹果，高通，NVIDIA，AMD和其他客户将率先采用其2nm工艺。
台积电可能再次驳回先前关于摩尔定律失败的结论。
尽管台积电非常乐观，但根据物理定律，当芯片工艺达到极限时，由于隧穿效应，芯片中的电子无法充分发挥其全部强度。
相应地，制造商的成本将成倍增加。
据三星介绍，其在5nm工艺研发上的投资已达4.8亿美元。
在2nm制程中，台积电将放弃已经使用多年的FinFET（鳍式场效应晶体管），甚至不使用三星计划在3nm制程中使用的GAAFET（环绕栅场效应晶体管），即纳米线。
（纳米线），但将其扩展为“ MBCFET” （多桥沟道场效应晶体管），也称为纳米片。
从GAAFET到MBCFET，从纳米线到纳米片，可以看作是从二维到三维的飞跃，这可以极大地改善电路控制并降低泄漏率。
新过程的成本将越来越高。
三星已经在5nm工艺的研究和开发方面投资了4.8亿美元，而在3nm GAAFET领域的投资将大大超过5亿美元。
因此，尽管台积电在2nm芯片的开发方面取得了重大突破，但仍需要在批量生产之前解决更多的问题。