汇荣科技发布了最新的PCIe 4.0 NVMe 1.4主芯片,为消费类SSD带来了终极性能体验

[2020/10/21,美国台北和加利福尼亚] NAND闪存主芯片设计和营销的全球领先品牌-汇荣科技(NasdaqGS:SIMO)(“ Silicon Motion”)宣布推出在同一天一系列最新的超高性能型号中,低功耗PCIe 4.0 NVMe 1.4主芯片解决方案可满足全方位市场需求,其中包括为高端旗舰客户端SSD设计的SM2264,为主流SSD开发的SM2267市场,并且适合入门级新型小型SM2267XT DRAM-Less主芯片。

汇融科技最新的SSD主控芯片解决方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4规范,完美展现了Gen4的超高性能和低功耗特性,并结合了汇融独有的错误码校正(ECC)技术,数据路径和EMI保护,可提供完整的功能。

稳定的数据保护,满足存储设备高效稳定的需求。

全球已有10个重量级客户,包括主要的NAND制造商和SSD OEM厂商,他们已经采用配备3D TLC或QLC NAND的慧荣科技的Gen 4主控制芯片来推出新产品。

市场研究公司TrendFocus副总裁Don Jeanette表示:“众所周知,汇荣科技很长一段时间以来一直是SSD主控芯片技术的领导者。

尽管Gen 4规范越来越受到市场的关注,但该公司在此时推出了新产品。

只要抓住最好的机会,在接下来的几年中,第四代必将成为PC,游戏机和其他消费级设备的标准规范”。

汇荣科技总经理苟家z说:“ PCIe Gen4将推动SSD性能的提升。

到另一个层次。

我们最新的PCIe 4.0 SSD主芯片为消费类SSD应用提供了完整的解决方案,可以满足全球PC OEM和SSD模块领先制造商的长期需求。

目前,许多OEM客户在他们的新产品开发中已经开始进口我们最新的Gen 4 SSD主控制芯片。

其中,配备有SM2267主控制芯片的SSD已进入量产阶段。

适用于高性能和汽车级PCIe Gen 4解决方案:SM2264支持Gen4×4通道和8个NAND通道。

SM2264主要针对高性能和汽车级SSD应用。

它配备有四核ARM®。

Cortex-R8 CPU包含四个16Gb / s PCIe数据总线,并支持八个NAND通道,每个通道每秒可达到1600 MT。

SM2264的先进架构采用12nm工艺,可以大大提高数据传输速率,降低功耗并提供更严格的数据保护。

连续的读写性能可以达到7,400MBs / 6,800MBs,随机读写速度可以达到1,000K IOPS。

给用户前所未有的超高性能体验。

ARM& reg; Cortex-reg-R8体系结构提供了高速多线程处理功能,可以满足新一代存储应用程序的混合工作负载要求。

SM2264配备了Huirong Technology最新的第7代NANDXtend®。

该技术结合了最新的高性能4KB LDPC纠错码(ECC)引擎和慧荣技术获得专利的RAID功能,为最新一代的3D TLC和QLC NAND错功能提供了出色的纠错能力。

内置SR-IOV功能的SM2264也是汽车级存储设备的理想选择。

它可以同时提供多达八个具有直接高速PCIe接口的虚拟机(VM)。

SM2264当前正在进入客户样品交付阶段。

适用于主流和入门级PCIe Gen 4的解决方案:SM2267支持Gen4×4通道,4个NAND通道设计; SM2267XT支持Gen4×4通道,4个NAND通道,无DRAM汇荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费高水平且具有成本效益的SSD应用要求,具有四个16Gb / s通道的PCIe和四个NAND通道,每个通道都有一个最大速度为1,200MT / s,连续读取和写入性能可高达每秒3,900 / 3,500MB。

SM2267包含DRAM接口,SM2267XT不含DRAM的主控制芯片可以满足小尺寸产品的设计要求,而不会影响性能。

两者都装有NANDXtend®。

ECC技术,并支持最新一代的3D TLC和QLC NAND,可提供高性能,高可靠性和最经济的PCIe NVMe SSD解决方案。

SM2267和SM2267XT已进入批量生产阶段。

有关SSD主芯片解决方案的更多信息,请访问Huirong的官方网站:www.siliconmotion.com。

关于Silicon Motion Technology Corp.(NasdaqGS:SIMO)是全球最大的NAND闪存主芯片供应商