第一导电类型的半导体层，形成在与半导体层的上表面相邻的半导体层中的第二导电类型的有源区，以及至少一个基本上垂直地延伸穿过有源区并且至少部分地进入半导体的半导体层层沟槽电极。
栅控二极管的第一端电耦合到沟槽电极，并且至少第二端电耦合到有源区。
根据在第一和第二端之间施加的电压电位，栅控二极管在第一模式和第二模式中的至少一个模式下工作。
第一模式的特征在于在半导体层中产生基本上围绕沟槽电极的反型层。
栅控二极管在第一模式中具有第一电容而在第二模式中具有第二电容，第一电容基本上大于第二电容。
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