德州仪器(Texas Instruments) OPA1612AID 型号资料与替代型号

德州仪器(Texas Instruments) OPA1612AID 的封装、参数、资料来源与已收录替代候选。共 10 条匹配记录,逐条查看参数差异和核验状态。

单型号资料 · 运放

OPA1612AID

TI 进口

封装SOIC-8已收录匹配记录10 条

OPA1612AID 型号参数

总谐波失真加噪声(THD+N)-120dB
压摆率27V/μs
轨到轨特性No
通道数2
输入偏置电流1pA
供电电压范围±2.25V to ±18V
增益带宽积40MHz
输入电压噪声密度1.1nV/√Hz

以上为本型号收录资料,选型请核对完整订货后缀和规格书条件。

OPA1612AID 的替代型号与同厂对照

共 10 条已公开记录,按页列出;候选关系不代表可直接互换。

其他品牌候选平台标记:未核验

Si8920BD-IS

芯科科技(Silicon Labs)

封装
SOIC-8
发布者标注
非原位匹配

带2.5kVrms隔离,GBW=1.5MHz,SR=2.5V/μs,e_n=15nV/√Hz,非直接替代,仅用于需隔离的特殊场景

国产替代候选平台标记:未核验

HD1612S8

华大半导体(HuaDa Semiconductor)

封装
SOIC-8
发布者标注
非原位匹配

GBW=42MHz,SR=25V/μs,e_n=1.2nV/√Hz,IB=0.8pA,THD+N=-118dB@1kHz,供电±2.25V~±18V,ESD 6kV HBM

其他品牌候选平台标记:未核验

BD77502FVM

罗姆(ROHM)

封装
MSOP-8
发布者标注
非原位匹配

GBW=50MHz,SR=22V/μs,e_n=1.3nV/√Hz,IB=10pA,THD+N=-115dB@1kHz,供电±2.25V~±18V,支持关断模式

其他品牌候选平台标记:未核验

MCP6P02-E/SN

美国微芯(MICROCHIP)

封装
SOIC-8
发布者标注
非原位匹配

GBW=10MHz,SR=5.5V/μs,e_n=8.7nV/√Hz,IB=1pA,内置增益可编程(1–10×),THD+N≈-90dB;非标准架构,不推荐高保真应用

其他品牌候选平台标记:未核验

TSV912IDT

意法半导体(ST)

封装
SOIC-8
发布者标注
非原位匹配

GBW=8MHz,SR=4.5V/μs,e_n=12nV/√Hz,IB=1pA,THD+N≈-85dB,供电±1.35V~±12V;噪声/带宽显著偏低,仅适用于中低性能音频缓冲

其他品牌候选平台标记:未核验

AD797ARZ

ADI

封装
SOIC-8
发布者标注
非原位匹配

GBW=110MHz,SR=20V/μs,e_n=0.9nV/√Hz,IB=250nA(显著偏高),单通道;需双路需配对使用;供电±5V~±15V

其他品牌候选平台标记:未核验

ADA4898-2ARMZ

ADI

封装
MSOP-8
发布者标注
非原位匹配

GBW=65MHz,SR=28V/μs,e_n=0.9nV/√Hz,THD+N=-125dB@1kHz,输入偏置电流≈10pA(略高),供电范围±5V~±15V(窄于OPA1612)

OPA1612AID 的资料来源

暂未收录本型号可公开的规格书链接。

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