Si8920BD-IS
芯科科技(Silicon Labs)
- 封装
- SOIC-8
- 发布者标注
- 非原位匹配
带2.5kVrms隔离,GBW=1.5MHz,SR=2.5V/μs,e_n=15nV/√Hz,非直接替代,仅用于需隔离的特殊场景
德州仪器(Texas Instruments) OPA1612AID 的封装、参数、资料来源与已收录替代候选。共 10 条匹配记录,逐条查看参数差异和核验状态。
| 总谐波失真加噪声(THD+N) | -120dB |
|---|---|
| 压摆率 | 27V/μs |
| 轨到轨特性 | No |
| 通道数 | 2 |
| 输入偏置电流 | 1pA |
| 供电电压范围 | ±2.25V to ±18V |
| 增益带宽积 | 40MHz |
| 输入电压噪声密度 | 1.1nV/√Hz |
以上为本型号收录资料,选型请核对完整订货后缀和规格书条件。
共 10 条已公开记录,按页列出;候选关系不代表可直接互换。
芯科科技(Silicon Labs)
带2.5kVrms隔离,GBW=1.5MHz,SR=2.5V/μs,e_n=15nV/√Hz,非直接替代,仅用于需隔离的特殊场景
华大半导体(HuaDa Semiconductor)
GBW=42MHz,SR=25V/μs,e_n=1.2nV/√Hz,IB=0.8pA,THD+N=-118dB@1kHz,供电±2.25V~±18V,ESD 6kV HBM
圣邦微(SGMICRO)
GBW=50MHz,SR=22V/μs,e_n=1.5nV/√Hz,IB=1pA,THD+N=-110dB@1kHz,供电±2.5V~±18V,EMI增强设计
罗姆(ROHM)
GBW=50MHz,SR=22V/μs,e_n=1.3nV/√Hz,IB=10pA,THD+N=-115dB@1kHz,供电±2.25V~±18V,支持关断模式
美国微芯(MICROCHIP)
GBW=10MHz,SR=5.5V/μs,e_n=8.7nV/√Hz,IB=1pA,内置增益可编程(1–10×),THD+N≈-90dB;非标准架构,不推荐高保真应用
意法半导体(ST)
GBW=8MHz,SR=4.5V/μs,e_n=12nV/√Hz,IB=1pA,THD+N≈-85dB,供电±1.35V~±12V;噪声/带宽显著偏低,仅适用于中低性能音频缓冲
ADI
GBW=110MHz,SR=20V/μs,e_n=0.9nV/√Hz,IB=250nA(显著偏高),单通道;需双路需配对使用;供电±5V~±15V
ADI
GBW=65MHz,SR=28V/μs,e_n=0.9nV/√Hz,THD+N=-125dB@1kHz,输入偏置电流≈10pA(略高),供电范围±5V~±15V(窄于OPA1612)
德州仪器(Texas Instruments)
性能一致,封装更小(VSSOP-8),热阻略高,PCB面积节省35%
德州仪器(Texas Instruments)
完全一致(卷带封装,电气参数与AID相同)
暂未收录本型号可公开的规格书链接。
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