国产替代候选平台标记:未核验
NCE30H04
新洁能
- 封装
- PDFN5x6
- 发布者标注
- 非原位匹配
30V N沟道,导通电阻约4mΩ
美台(Diodes Incorporated) DMG7408SFG-7 的封装、参数、资料来源与已收录替代候选。共 10 条匹配记录,逐条查看参数差异和核验状态。
| 器件类型 | N沟道增强型MOSFET |
|---|---|
| 漏源电压 | 30V |
| 连续漏极电流 | 25A |
| 导通电阻 | 4.5mΩ(VGS=10V) |
| 栅极阈值电压 | 1.5V(典型值) |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
以上为本型号收录资料,选型请核对完整订货后缀和规格书条件。
共 10 条已公开记录,按页列出;候选关系不代表可直接互换。
新洁能
30V N沟道,导通电阻约4mΩ
士兰微
30V N沟道,导通电阻约4.5mΩ
华润微
30V N沟道,导通电阻约4mΩ
意法半导体(STMicroelectronics)
30V N沟道,导通电阻约3.5mΩ
Nexperia
30V N沟道,导通电阻约4.3mΩ
东芝(Toshiba)
30V N沟道,导通电阻约1.2mΩ
万国半导体(Alpha & Omega Semiconductor)
30V N沟道,导通电阻约5mΩ
安森美(onsemi)
30V N沟道,导通电阻约3.3mΩ
国际整流器(Infineon)
30V N沟道,导通电阻约2.5mΩ,性能更强
Vishay
30V N沟道,导通电阻约4.5mΩ,电流能力相近
暂未收录本型号可公开的规格书链接。
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