国产替代候选平台标记:未核验
CG-HL3144
南京芯感智
- 封装
- SOT-23-3
- 发布者标注
- 非原位匹配
工作电压3.5V至24V,开漏输出
德州仪器(Texas Instruments) DRV5013AGQDBZRQ1 的封装、参数、资料来源与已收录替代候选。共 10 条匹配记录,逐条查看参数差异和核验状态。
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 类型 | 霍尔效应锁存器 |
| 工作温度 | -40°C至125°C |
| 汽车认证 | AEC-Q100 |
| 电源电压 | 2.5V至38V |
| 磁灵敏度 | ±3.5mT(典型) |
| 输出类型 | 开漏 |
以上为本型号收录资料,选型请核对完整订货后缀和规格书条件。
共 10 条已公开记录,按页列出;候选关系不代表可直接互换。
南京芯感智
工作电压3.5V至24V,开漏输出
TDK-Micronas
工作电压3.8V至24V,开漏输出
罗姆(ROHM Semiconductor)
工作电压2.5V至5.5V,开漏输出
恩智浦(NXP Semiconductors)
工作电压4.5V至24V,开漏输出
迈来芯(Melexis)
工作电压3.5V至24V,开漏输出
英飞凌(Infineon Technologies)
工作电压3.0V至32V,开漏输出,汽车级
霍尼韦尔(Honeywell)
工作电压4.5V至24V,开漏输出
美台(Diodes Incorporated)
工作电压2.5V至5.5V,开漏输出
埃戈罗(Allegro MicroSystems)
高灵敏度,工作电压3.8V至24V,开漏输出
埃戈罗(Allegro MicroSystems)
类似磁灵敏度,工作电压3.8V至24V,开漏输出
暂未收录本型号可公开的规格书链接。
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